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ZnO:P薄膜的光学与电学性质研究任务书

 2020-04-16 03:04  

1. 毕业设计(论文)的内容和要求

zno薄膜是一种具有优异特性的第三代化合物半导体材料。

在室温下具有3.37ev的禁带宽度,且具有较大的激子束缚能,这使得其成为一种制备短波长光电器件的材料而备受关注。

zno材料共有3种晶体结构,即六角纤锌矿结构、立方岩盐矿结构和立方闪锌矿结构。

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2. 参考文献

[1] ? 謟g黵1,a), Ya. I. Alivov1, C. Liu1, A. Teke1,b), M. A. Reshchikov1, S. Do餫n1,c), V. Avrutin1, S.-J. Cho1 and H. Morko?, A comprehensive review of ZnO materials and devices, J. Appl. Phys. 98, 041301 (2005). [2] . Q. Cao, M. Lorenz, G. Zimmermann, C. Czekalla, M. Brandt, H. von Wenckstern, and M. Grundmann, P-Type Phosphorus Doped ZnO Wires for Optoelectronic Applications, DOI: 10.5772/39507. [3] Y. R. Ryu1, T. S. Lee1 and H. W. White, Properties of arsenic-doped p p -type ZnO grown by hybrid beam deposition, Appl. Phys. Lett. 83, 87 (2003). [4] H Wang1, H P Ho 1, K C Lo 1 and K W Cheah, Growth of p-type ZnO thin films by (N, Ga) co-doping using DMHy dopant, J. Phys. D: Appl. Phys. 40 (2007) 4682?685. [5] Xuan Fang唶, Jinhua Li? Dongxu Zhao*? Dezhen Shen? Binghui Li?and Xiaohua Wang, Phosphorus-Doped p-Type ZnO Nanorods and ZnO Nanorod p#8722;n Homojunction LED Fabricated by Hydrothermal Method, J. Phys. Chem. C, 2009, 113 (50), pp 21208?1212.

3. 毕业设计(论文)进程安排

2015.12-2016.01,文献调研,开题; 2016.03-2016.04系统搭建、测量及数据分析; 2016.05-2016.06论文撰写,答辩。

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